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  • 2026-09-14

    工作原理样品放置于刚玉管内,两端密封;先启动真空泵抽出管内空气,通入保护气体置换残余氧气,营造无氧环境。加热元件通电发热,以热辐射方式加热炉管;B型热电偶实时采集温度,温控仪表闭环调节功率,按预设工艺曲线完成烧结。烧结结束,可在保护气氛下冷却,防止样品氧化。、典型应用领域1.陶瓷材料:氧化铝、氧化锆、压电陶瓷、透明陶瓷烧结2.新能源材料:固态电解质、陶瓷靶材、电池陶瓷改性材料热处理3.粉末冶金:难熔金属粉末、陶瓷复合粉体烧结、退火4.无机新材料:稀土氧化物、功能粉体固相反应、...

  • 2026-09-14

    一、温度工艺控制(最关键,直接决定硅钼棒寿命)1.**控制长期工作温度**推荐长期恒温≤1600℃;1700℃仅短时保温(几十分钟~1小时),不要长时间在1700℃持续运行。温度越高,硅钼棒表面二氧化硅保护膜挥发越快。2.**快速跨过400~700℃危险温区**硅钼棒在此区间易发生**低温粉化**。不要在400–700℃长时间保温;升温时快速通过该段,降温也尽量快速跨过,减少停留时间。3.**合理设置升温/降温速率**高温段(>1400℃)升温速率建议≤3~5℃/min,防止...

  • 2026-09-14

    一、常规寿命参考(1800型U型硅钼棒,管式炉常用)1.**最佳工况(推荐)**长期工作温度≤1600℃,空气/惰性气氛(氮气、氩气),无腐蚀性气体,规范升降温。**使用寿命:2000~4000小时**举例:每天工作8小时,可连续使用约1~2年。2.**极限短时工况**经常用到1650~1700℃,长时间高温保温。👉**使用寿命:800~1500小时**温度越高衰减越快,1700℃只适合短时保温,不建议长时间恒温。3.**恶劣工况(寿命大幅缩短)**-高温下含氢气、氨气、硫...

  • 2026-09-14

    结构1.**炉体加热系统**:保温层+加热元件,PID可编程温控,多段升温保温曲线,温场均匀;带超温、断偶报警保护。2.**炉管密封腔体**:管式密闭腔体,KF密封法兰,可选水冷结构,提升高温气密性。3.**真空系统**:机械泵(低真空),可升级分子泵实现高真空,用于脱气、除氧。4.**气路系统**:减压阀、流量计、混气阀;精准控制保护气体流量,可连续换气、维持正压气氛。工作原理将样品置于炉管内密封,启动真空泵抽出管内空气;按工艺通入惰性气体置换残余氧气,建立所需气氛环境。加...

  • 2026-09-14

    参数-最高温度:**1700℃(短时)**,推荐长期使用温度≤1600~1650℃,延长硅钼棒与炉管寿命-炉管规格:**内径Φ100mm**,标配**99.7%高纯刚玉管**(1700℃工况不能使用石英管,石英会软化),管总长可定制,加热区常规300~1200mm-加热元件:**1800型U型硅钼棒(二硅化钼MoSi₂)**,辐射式环绕加热;氧化气氛下表面生成二氧化硅保护膜,抗氧化能力强-测温控温:B型双铂铑热电偶,PID可编程控温,支持30~50段程序升温;控温精度...

  • 2026-09-12

    一、加热原理电流通入**电阻加热元件**(电阻丝、硅碳棒、硅钼棒),依靠**焦耳效应**将电能转化为热能。热量主要以**热辐射**为主、热对流为辅,传递给炉管,再加热炉管内部的样品;炉体外包裹高纯保温纤维,减少热量散失,在炉管中间形成一段**温度均匀的恒温区**。二、闭环温控原理热电偶实时采集炉内温度信号,传给PID温控仪表;仪表不断对比**设定温度**和**实测温度**,自动调节输出功率,从而精准控制升温、恒温、降温。可以设置多段程序工艺曲线,实现自动升温保温,具备超温、断...

  • 2026-09-12

    1.半导体与电子材料-硅片、SiC、GaN、蓝宝石晶片退火,离子注入损伤修复、掺杂激活-氧化硅、氮化硅、多晶硅薄膜热处理、应力释放-MLCC介质粉体、压敏/热敏电阻、铁氧体磁性材料烧结-荧光粉、压电陶瓷、电子陶瓷小样煅烧2.先进陶瓷&粉末冶金-氧化铝、氧化锆、氮化铝、碳化硅陶瓷坯体气氛烧结、排胶、致密化实验-金属粉末(钛粉、镍基、铁基、硬质合金粉末)真空/保护气氛退火、光亮烧结-陶瓷复合材料、陶瓷膜、陶瓷前驱体高温固相反应3.新能源材料-锂电池:正极、负极粉体煅烧、碳包覆、前...

  • 2026-09-12

    结构与配置(实验室小样款)1.**炉管与载具**-炉管:**高纯熔融石英管**(半导体,低金属析出、洁净,最高1200℃;更高温第三代半导体可选高纯刚玉管)-样品托架:**石英舟/石英样品架**,专门放置晶圆片,不污染晶片表面-两端KF真空法兰、高纯氟胶密封,低漏气率,严控水汽、氧杂质2.**加热系统**-常规款:电阻丝加热,最高1200℃;第三代半导体高温工艺可选硅碳棒/硅钼棒到1400~1600℃-温控:PID可编程多段程序控温,**温场均匀度±1℃**,B...

  • 2026-09-12

    技术参数-最高温度:**1600℃**;长期推荐工作温度≤1550℃;短时峰值1650℃(不超过30分钟)-加热元件:U型硅钼棒(MoSi₂),辐射加热;⚠️400~700℃区间不宜长时间保温,易氧化粉化-炉管:99%高纯氧化铝刚玉管;管径Φ40/50/60/80mm可选;恒温区100–400mm-测温:B型双铂铑热电偶,测温范围0–1800℃,测温精度高-温控系统:可编程PID仪表/触摸屏,最多50段升温-保温-降温程序;控温精度±1℃;带超温、断偶、...

  • 2026-09-12

    结构与配置1.**炉管**-≤1200℃:高纯石英管(透明,可观察样品,易清洗)-1200~1700℃:99高纯刚玉管(耐高温,不透明)-两端:KF真空法兰、氟橡胶O型圈,密封性能好,可承受负压2.**加热元件**-≤1200℃:镍铬/铁铬铝电阻丝-1400℃:硅碳棒-1600~1700℃:硅钼棒3.**真空系统**-标配:旋片式机械泵,极限真空一般**-0.095MPa(约10Pa)**-升级:机械泵+分子泵,实现高真空(10⁻³~10⁻⁴Pa)-配套:真空表、真空阀门、放...

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