PRODUCT CLASSIFICATION
更新时间：2026-09-12 
浏览次数：12技术参数
- 最高温度：**1600℃**；长期推荐工作温度≤1550℃；短时峰值 1650℃（不超过 30 分钟）
- 加热元件：U 型硅钼棒（MoSi₂），辐射加热；⚠️400~700℃区间不宜长时间保温，易氧化粉化
- 炉管：99% 高纯氧化铝刚玉管；管径 Φ40/50/60/80mm 可选；恒温区 100–400mm
- 测温：B 型双铂铑热电偶，测温范围 0–1800℃，测温精度高
- 温控系统：可编程 PID 仪表 / 触摸屏，最多 50 段升温 - 保温 - 降温程序；控温精度 ±1℃；带超温、断偶、漏电保护
- 真空系统：标配旋片机械泵（极限真空约 10Pa）；可选分子泵机组升级高真空（10⁻³~10⁻⁴Pa）；KF 真空法兰，真空规实时监测真空度
- 气路系统：多路进气，浮子流量计或 MFC 质量流量控制器；可通入 N₂、Ar、O₂等气体；可多次抽真空置换，工艺阶段维持微正压
- 炉体结构：双层炉壳 + 风冷结构，外壳低温；氧化铝多晶纤维保温，不掉粉，避免样品污染；台式小型，实验室台面放置
- 供电：小规格 220V 单相，大功率规格 380V 三相
![20150225132376567656[1].jpg](https://img50.chem17.com/9/20260912/639248337393888388532.jpg "20150225132376567656[1].jpg")
工作原理
1. 样品放入刚玉管恒温区，锁紧两端 KF 真空法兰，形成密闭腔体；
2. **真空置换**：开启机械泵抽真空，排出炉管内空气；抽到目标真空度后关闭泵，通入保护气体（氮气 / 氩气）；重复 2~3 次抽真空 - 充气，大幅降低管内氧含量；
3. 温控系统驱动硅钼棒通电发热，依靠辐射传热加热样品；B 型热电偶实时采集温度，PID 闭环自动调节功率，按预设程序完成升温、恒温烧结、降温；
4. 烧结保温阶段：可保持真空环境，或持续通入保护气体维持微正压，隔绝氧气，防止新材料高温氧化；
5. 降温至 200℃以下，缓慢放气破真空，取出样品。
主要应用（新材料高温烧结方向）
1. **先进陶瓷材料**：氧化锆、氧化铝、氮化铝、碳化硅陶瓷坯体小样烧结、致密化实验、排胶
2. **新能源材料**：固态电池陶瓷电解质、锂电正极 / 负极粉体高温煅烧、陶瓷隔膜烧结、电催化材料制备
3. **粉末冶金**：钛粉、镍基合金、难熔金属粉末真空 / 气氛烧结、光亮退火
4. **炭基、二维材料**：石墨烯、碳纳米管、碳纤维高温碳化，碳基复合材料烧结
5. **电子与磁性材料**：MLCC 介质粉体、铁氧体、荧光粉高温固相合成
6. **薄膜与半导体**：陶瓷薄膜退火、CVD 气相沉积、样品高温脱气
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